Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т928В

Голосов пока нет
Производитель: 
Категория: 

Импульсный высокочастотный n-p-n транзистор 2Т928В предназначен для использования в быстродействующих импульсных схемах, в цепях вычислительных машин, в схемах генерирования электрических колебаний, а также другой радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от - 60 до + 125 С. Обозначение технических условий: Я53.365.034ТУ. Корпусное исполнение - металлический корпус КТ2-7 (TO-39). Зарубежные прототипы - прототип 2N2218.

Технические характеристики
Паpаметpы Буквенное обозначение Ед. изм. Режимы измеpения Min Max
Обратный ток коллектора Iкбо мкА Uкб=60B - 5
Статический коэффициент передачи тока h21Е   Uкб=3B, Iэ=150мA 50 200
Граничная частота коэффициента передачи тока Fгр МГц Uкэ=10B f=100МГц Iк=50мА 300  
Напряжение насыщения коллектор - эмиттер Uкэ(нас) В Iк=300мА,Iб=30мA - 0,6
Напряжение насыщения база - эмиттер UБЭ НАС В Iк=300мА,Iб=30мA - 1,5
Граничное напряжение Uкэогр В Iэ=20мА Iб=0 40 -
Обратный ток коллектор-эмиттер IКЭR мкА Uкб=60B Rбэ=100 Ом - 0,6
Ёмкость эмиттерного перехода Сэ пФ Uэб=0 Iк=0 f=10МГц - 90
Ёмкость коллекторного перехода Ск пФ Uкб=10B Iэ=0 f=10МГц - 10
Время рассасывания tрас НС Iк=300мА IБ1=IБ2=30мА tu 30мкс Q 50 - 225
Обратный ток эмиттеpа Iэбo мкА Uэб= 5 B - 5
Добавить комментарий