Кремниевый эпитаксиально 2П7172А

Голосов пока нет
Производитель: 
Категория: 

Транзистор 2П7172А кремниевый эпитаксиально – планарный полевой с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом предназначен для использования в специализированных устройствах типа источников вторичного электропитания и другой преобразовательной аппаратуре специального назначения.

Особенности

  • Диапазон рабочих температур от - 60 до +125 C.
  • Материал покрытия выводов - Н3, Зл.4.
  • Масса не более 10 г.

Корпусное исполнение - металлостеклянный корпус TO-254 (КТ-97В). Обозначение технических условий: АЕЯР.432140.398ТУ.

Надежность

  • 95 - процентный ресурс - 50 000 ч.
  • Минимальная наработка - 25 000 ч.
  • Срок сохраняемости - 25 лет.

Условия эксплуатации

Категорически запрещается превышение предельно – допустимых значений электрических режимов и условий эксплуатации. Не допускается применения полевых транзисторов при совмещении двух или более предельно- допустимых электрических режимов, как в процессе изготовления, настройки и испытания аппаратуры, так и в процессе ее эксплуатации. В целях повышения РЭА рекомендуется использовать транзисторы в режимах и условиях эксплуатации с коэффициентом нагрузки по напряжению и по мощности в пределах 0,7 – 0,8. В разрабатываемой или модернизируемой аппаратуре недопустим подбор полевых транзисторов по отдельным параметрам, характеристикам, дате и месту изготовления. При проектировании аппаратуры следует учитывать, что параметры полевых транзисторов могут изменяться в некоторых пределах под влиянием температуры, в зависимости от электрического режима, под действием ионизирующих излучений, в зависимости от времени наработки. При использовании полевых транзисторов в устройствах с большим входным сопротивлением и работающих в значительном диапазоне температур, следует учитывать зависимость тока стока от температуры. В связи с тем, что транзисторы с изолированным затвором чувствительны к электрическим перенапряжениям на затворе, даже если эти напряжения вызваны маломощным источником, необходимо принимать меры по предотвращению этих перенапряжений. Необходимо предусматривать меры по защите от статического электричества в соответствии с ОСТ 11 073.062 - 2001. Допустимое значение статического потенциала не более 200 В.

При проектировании, производстве и эксплуатации РЭА необходимо обеспечивать правильный тепловой режим работы транзисторов с тем, чтобы температура кристалла была минимальной и не превышала максимально - допустимую. Во всех случаях рекомендуется принимать меры, обеспечивающие снижение температуры нагрева транзистора. Транзисторы необходимо применять с теплоотводами. Крепление транзисторов к теплоотводу должно обеспечивать надежный тепловой контакт. Допускается применение транзисторов, изготовленных в обычном климатическом исполнении, в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзисторов непосредственно в аппаратуре лаком (в 3-4 слоя) марки УР-231 ТУ 6-21-14 –90 или ЭП-730 ГОСТ 20824 - 81 с последующей сушкой каждого слоя. Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре методом пайки паяльником. Температура пайки не выше 265 С.Время пайки не более 4 с. Время лужения – 2 с. При распайке температура корпуса не должна превышать 125 С. Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и надежности транзисторов, что должно подтверждаться проведением ресурсных испытаний на предприятии-потребителе. Не допускается прикладывать к выводам вращающих усилий.

Технические характеристики
Наименование параметра, режим измерения, единица измерения Буквенное обозначение Норма Температура среды, корпуса, С
не менее не более
Остаточный ток стока

(UЗИ = 0 В, UСИ = 100 В), мкА

(UЗИ = 0 В, UСИ = 80 В), мкА

(UЗИ = 0 В, UСИ = 80 В), мкА

IС. ост -

-

-

250

1000

250

25±10

125±5

-60±3

Ток утечки затвора

(UЗИ = ±20 В, UСИ = 0 В), нА

IЗ. ут - ±100 25±10
Ток стока (UЗИ = 10 В,UСИ = 2,2 В, tи 300 мкс, Q 50), А 30 - 25±10
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (UЗИ = 10 В, IС = 20 А, tи 300 мкс, Q 50), Ом RСИ. отк - 0,05 25±10
Крутизна характеристики (UСИ = 25 В, IС = 20 А, tи 300 мкс, Q 50), А/В S 14 - 25±10
Пороговое напряжение (UЗИ = UCИ, IС = 250 мкА), В UЗИ. пор 2,0 4,5 25±10
Постоянное прямое напряжение диода (UЗИ = 0 В, IС = - 30 А, tи 300 мкс, Q 50), В Uпр - 1,6 25±10
Добавить комментарий