Нет фото

Кремниевый биполярный высоковольтный транзистор 2Т8224А-5

Голосов пока нет

Бескорпусные кремниевые планарные высоковольтные мощные n-p-n типа транзисторы "2Т8224А-5", поставляемые на общей пластине (неразделенные), предназначены для внутреннего монтажа в гибридных интегральных микросхемах, микросборках и дискретных приборах. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 100 С. Обозначение технических условий - АЕЯР.432140.304 ТУ. Корпусное исполнение - бескорпусное исполнение; кристаллы на пластине 100мм неразделенные. Стойкость к воздействию спецфакторов - специальные воздействия И1, С3, по группе исполнения 1У, И2 – по 2У.

Электрические параметры
Наименование Буквенное обозначение Норма  
не менее не более  
Обратный ток коллектор-эмиттер (UКЭ = 1500 В, RЭБ = 0, tи = (0,3-20) мс, Q 100), мкА IКЭК - 100  
Обратный ток эмиттера (UЭБ = 5,5 В, tи = (0,3-10) мс, Q 100), мА IЭБО - 1,0  
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IК = 4,5 А, IБ = 999 мА, tи = (0,3-3) мс, Q 100), В UКЭ нас - 2,0  
Напряжение насыщения база-эмиттер (IК = 4,5 А, IБ = 999 мА, tи = (0,3-3) мс, Q 100), В UБЭ нас - 1,1  
Статический коэффициент передачи тока * (UКЭ = 1 В, IК = 4,5 А, tи = (0,3-3) мс, Q 100) h21Э 3,5 10  
* Для схемы измерения с общей базой: UКБ = 0,3 В, IЭ = 5,3 А.