Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т635А

Голосов пока нет
Производитель: 
Категория: 

Кремниевый эпитаксиально-планарный быстродействующий переключающий n-p-n транзистор "2Т635А" в металлическом корпусе с изоляторами, предназначенный для работы в аппаратуре специального назначения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С. Обозначение технических условий - аАО.339.051 ТУ. Корпусное исполнение - металлический корпус КТ2-7 (TO-39).

Электрические параметры
Наименование Буквенное обозначение Норма  
не менее не более  
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером, (UКЭ = 1 В, IК = 500 мА) h21Э 25 150  
Обратный ток коллектора, мкА, (UКБ = 60 В) IКБО   10  
Обратный ток эмиттера, мкА, (UЭБ = 5 В) IЭБО   10  
Обратный ток коллектор-эмиттер, мкА, (UКЭ = 60 В, RБЭ = 0) IКЭК   10  
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В, (IК = 500 мА, IБ = 50 мА) UКЭ нас   0,5  
Напряжение насыщения база-эмиттер, В, (IК = 500 мА, IБ = 50 мА) UБЭ нас   1,2  
Граничное напряжение, В, (IЭ = 10 мА, IБ = 0) UКЭОгр 45    
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером, МГц, (UКЭ = 10 В, IК = 50 мА, f = 100 МГц) fгр 250    
Емкость коллекторного перехода, пФ, (UКБ = 10 В, IЭ = 0, f = 10 МГц) СК   10  
Емкость эмиттерного перехода, пФ, (UЭБ = 0, IК = 0, f = 10 МГц) СЭ   90  
Время выключения, нс, (IК = 500 мА, IБ1 = IБ2 = 50 мА, tи 30 мкс, Q 50) tвыкл   60  
Добавить комментарий