Нет фото

Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т378Г-5

Голосов пока нет
Производитель: 
Категория: 

Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n импульсные высокочастотные бескорпусные транзисторы 2Т378Г-5, 2Т378Д-5, 2Т378Е-5 поставляемые на общей пластине (неразделенные), предназначены для применения в усилительных устройствах с низким уровнем шумов и генераторах. Обозначение технических условий - ХА3.365.012 ТУ. Бескорпусное исполнение (кристаллы на общей пластине).

Электрические параметры
Наименование Буквенное обозначение Норма
2Т378Г-5 2Т378Д-5 2Т378Е-5
не менее не более не менее не более не менее не более
Обратный ток эмиттера UЭБ = 5 В, мкА IЭБО - 0,35 - 0,35 - 0,35
Обратный ток коллектор-эмиттер UКЭ = 70 В, RБЭ = 1 кОм, мкА UКЭ = 45 В, RБЭ = 1 кОм, мкА IКЭR - 0,4 - 0,4 - 0,4
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером UКБ = 5 В, IЭ= 200 мА * h21Э 62 130 30 70 60 140
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер IК = 400 мА*, IБ = 80 мА, В UКЭ нас - 0,6 - 0,75 - 0,75
Напряжение насыщения база-эмиттер IК = 400 мА*, IБ = 80 мА, В UБЭ нас - 1,2 - 1,3 - 1,3
Обратный ток коллектора, UКБ = 70 В, мкА UКБ = 45 В, мкА IКБО - 0,1 - 0,1 - 0,1
Нормы на параметры установлены без учета погрешности измерения * Измерение проводят при импульсном токе.
Добавить комментарий