Кремниевый высоковольтный транзистор 2Т847А-5/ИМ

Голосов пока нет
Производитель: 
Категория: 

Бескорпусные кремниевые планарные высоковольтные мощные N-P-N транзисторы 2Т847А-5/ИМ, поставляемые на общей пластине (неразделенными) предназначены для внутреннего монтажа в гибридных интегральных микросхемах (ГС), микросборках, блоках, а также для сборки дискретных приборов, обеспечивающих защиту транзисторов от воздействия света, влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, агрессивных газов и смесей и применяемых в аппаратуре специального назначения. Категория качества ВП. Диапазон рабочих температур окружающей среды от - 60 до + 100 С. Обозначение технических условий - АЕЯР.432140.312 ТУ.

Конструктивное исполнение

  • бескорпусное исполнение;
  • кристаллы на общей пластине 100 мм неразделенные;
  • масса одного транзистора – не более 0,05 г.

Требования к устойчивости при специальных воздействиях

  • Специальные воздействия в составе ГС (микросборок) - по ОСТ В 11 336.018.
  • Характеристики С3, И1 - И3, К1, К3 по 1У.

Справочные данные

  • 95-процентный ресурс транзисторов (Т ) в режимах и условиях, допустимых ТУ, – 50000 ч.
  • 95-процентный ресурс транзисторов (Т ) в облегченных режимах и условиях – 100000 ч.

Требования к устойчивости при климатических воздействиях Климатические воздействия в составе ГС (микросборок) - по ОСТ В 11 336.018 со следующими уточнениями:

  • повышенная рабочая температура корпуса 100 С;
  • смена температуры среды от минус 60 до 125 С.

Условия эксплуатации

При технологических операциях недопустимо попадание на поверхность транзисторов пыли, масел, жиров, графита, спирта и других загрязнений, особенно, токопроводящих. На всех стадиях производства и сборки транзисторов запрещается брать бескорпусные транзисторы незащищенными руками. Не допускается повторное присоединение вывода к контактной площадке.

Технические характеристики
Наименование Буквенное обозначение Норма Температура среды, корпуса, С
не менее не более
Обратный ток коллектора (UКБ = 650 В, tи = (0,3-10) мс, Q 50), мА IКБО - 5 25±10
Обратный ток эмиттера (UЭБ = 8 В, tи = (0,3-10) мс, Q 50), мА IЭБО - 100 25±10
Граничное напряжение (IК = 0,1 А, tи = (0,3-1,0 мс, Q 50), В UКЭО гр - 390 25±10
Статический коэффициент передачи тока1) (UКЭ = 3 В, IК = 15 А, tи = (0,3-3) мс, Q 50) h21Э 8

5

5

  25±10

100±5

-60±3

Обратный ток эмиттера1 (UЭБ = 8 В, tи = (0,3-10) мс, Q 50), мА IЭБО - 100 25±10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1) (IК = 15 А, IБ = 5 А, tи = (0,3-3) мс, Q 50), В UКЭ нас - 1,5 25±10
Граничное напряжение1) (IК = 0,1 А, LК = 40 мГн), В UКЭО гр 360 - 25±10
Время спада1) (IК = 15 А, IБ1 = IБ2 = 3 А, UКЭ = 200 В, tи1 = tи2 = 50 мкс), мкс tсп - 0,8 25±10
Время рассасывания1) (IК = 15 А, IБ1 = IБ2 = 3 А, UКЭ = 200 В, tи1 = tи2 = 50 мкс), мкс tрас - 3,0 25±10
1) Параметры, нормы для которых установлены для транзисторов в составе ГС (микросборок).
Добавить комментарий