Транзистор с изолированным затвором КП7173А

Голосов пока нет
Производитель: 
Категория: 

Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор КП7173А с изолированным затвором, обогащением n- канала, встроенным в цепь «затвор-исток» двухсторонним стабилитроном, предназначенный для использования в источниках питания телевизионных приемников, драйверах высокого напряжения, быстродействующих преобразователях напряжения, высоковольтных аналоговых схемах, телекоммуникационных системах и другой радиоэлектронной аппаратуре. Зарубежный прототип STP4NK60Z фирмы STMicroelectronics. Диапазон рабочих температур корпуса от - 45 до + 125°C. Климатическое исполнение категории 5.1 ГОСТ15150. Обозначение технических условий АДБК 432140.330 ТУ. Корпусное исполнение-пластмассовый корпус КТ-28-2 (ТО-220AB).

Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Затвор
№2 Сток
№3 Исток
Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации
Наименование Буквенное обозначение параметра  

Норма

Максимально допустимое напряжение сток-исток, UСИ.mах 600
Максимально допустимое напряжение затвор-исток, В UЗИ mах ±30
Максимально допустимый постоянный ток стока 1)

(Ткор от минус 45 до 25 °С), А

IC mах 4,0
Максимально допустимый постоянный ток стока

(Ткор = 100 °С), А

IC mах 2,5
Максимально допустимый импульсный ток стока

(tи& 300 мкс), А

IC(и) mах 16
Максимально допустимый постоянный прямой ток диода

(Ткор = 25 °С), А

Iпр.mах 4,0
Максимально допустимый импульсный прямой ток диода, А Iпр,и mах 16
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность при температуре корпуса от минус 45 до 25 °С, Вт 2) Рmах 70
Максимально допустимая температура перехода, °С Тпер.mах 150
Тепловое сопротивление переход - корпус, °С/Вт Rqпер-кор 1,78
 

1)В диапазоне температур корпуса от 25 до 125 °С значение I снижается в соответствии с

C mах

графиком, приведенным на рисунке 13.

2)В диапазоне температур корпуса от 25 до 125 °С максимально допустимую рассеиваемую мощность рассчитывают по формуле: Рmах = (Тпер mах - Ткор) / Rqпер-кор

Электрические параметры транзистора, изменяющиеся в течение наработки
 

 

Наименование

 

Буквенное обозначение параметра

Норма Температура корпуса,

°С

 

не менее

 

не более

Остаточный ток стока

(UЗИ = 0 В, UСИ = 600 В), мкА

(UЗИ = 0 В, UСИ = 600 В), мкА

IС ост  

-

-

 

20

200

 

25

125

Ток утечки затвора (UЗИ = ±20 В, UСИ =0 В), мкА IЗ ут - ±20 25
Справочные данные транзистора КП7173А при ТКОР = (25±10) °С
 

Наименование

 

Буквенное обозначение

Значение
Мин. Типовое Макс.
Остаточный ток стока

(UЗИ = 0 В, UСИ = 600 В), мкА

IС ост - - 10
Ток утечки затвора

(UЗИ= ±20 В, UСИ = 0 В), мкА

 

IЗ ут

- - ±10
Ток стока

(UЗИ= 10 В, UСИ = 12 В, tи  300 мкс, Q 50), А

4,0 - -
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии

(UЗИ = 10 В, IС = 2,0 А, tи 300 мкс, Q 50), Ом

RСИ отк - - 2,0
Крутизна характеристики

(UСИ = 25 В, IС = 2,0 А, tи 300 мкс, Q 50), А/В

S 2,4 - -
Постоянное прямое напряжение диода

(UЗИ= 0 В, Iпр= 4,0 А, tи 300 мкс, Q 50), В

Uпр - - 1,6
Пороговое напряжение

(UЗИ= UCИ, IС= 50 мкА), В

UЗИ.пор 3,0 - 4,5
Максимально допустимая энергия одиночного импульса, рассеиваемая транзистором в режиме лавинного пробоя

(UСИ = 50 В, IС = 4 А, Rг = 25 Ом, RC = 3 Ом,

L = 13,7 мГн, Tпер нач. = 25 °C), мДж

 

 

ЕAS

 

 

 

-

 

 

 

-

 

 

 

120

Максимально допустимая энергия повторяющихся импульсов, рассеиваемая транзистором в режиме лавинного пробоя

(UСИ = 50 В, IС = 4 А, Rг = 25 Ом, RC = 3 Ом,

L = 0,28 мГн, Tкор = 25 °C, f = 50 Гц), мДж

 

 

ЕAR

 

 

-

 

 

-

 

 

2,4

Входная емкость

(UЗИ= 0 В, UСИ= 25 В, f = 1 МГц), пФ

 

С11И

 

-

 

-

 

1100

Выходная емкость

(UЗИ= 0 В, UСИ= 25 В, f = 1 МГц), пФ

 

С22И

 

-

 

-

 

110

Прроходная емкость

(UЗИ = 0 В, UСИ = 25 В, f = 1 МГц), пФ

 

С12И

 

-

 

-

 

30

Время включения

(IС= 2,0 А, UСИ = 300 В, Rг = 4,7 Ом, UЗИ= 10 В), нс

 

t вкл

 

-

 

-

 

60

Время выключения

(IС= 2,0 А, UСИ = 300 В, Rг = 4,7 Ом, UЗИ= 10 В), нс

 

tвыкл.

 

-

 

-

 

80

Основные электрические параметры при приемке и поставке
 

 

Наименование

 

Буквенное обозначение параметра

Норма Температура, корпуса (среды), °С
не менее не более
Остаточный ток стока IС ост  

-

 

10

 

25

(UЗИ = 0 В, UСИ = 600 В), мкА
(UЗИ = 0 В, UСИ = 600 В), мкА - 100 125
(UЗИ = 0 В, UСИ = 500 В), мкА - 10 (-45)
Ток утечки затвора (UЗИ = ±20 В, UСИ = 0 В), мкА IЗ ут - ±10 25
Ток стока

(UЗИ = 10 В, UСИ = 12 В, tи 300 мкс, Q 50), А

4,0 - 25
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии

(UЗИ= 10 В, IС = 2,0 А, tи 300 мкс, Q 50), Ом

RСИ отк - 2,0 25
Крутизна характеристики

(UСИ = 25 В, IС = 2,0 А, tи 300 мкс, Q 50), А/В

S 2,4 - 25
Пороговое напряжение

(UЗИ = UCИ, IС = 50 мкА), В

UЗИ.пор 3,0 4,5 25
Постоянное прямое напряжение диода

(UЗИ= 0 В, Iпр= 4,0 А, tи 300 мкс, Q 50), В

Uпр - 1,6 25
Добавить комментарий