Транзистор КТ503В

Голосов пока нет
Производитель: 
Категория: 

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ503В предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.

Обозначение технических условий

  • аАО. 336.183 ТУ / 02

Особенности

  • - 45 до + 100 C
  • Комплиментарная пара КТ502

Корпусное исполнение

  • пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92)
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Эмиттер
№2 База
№3 Коллектор
Основные электрические параметры КТ503 при Токр. среды = 25 С
Параметры Обозначение Ед. изм. Режимы измерения Min Max
Гр. напряжение коллектор-эмиттер Uкэо гр. В Iк=10mA, Iб=0 25-80 -
Обратный ток коллектора Iкбo мкА Uкб= Uкб max - 1
Статический коэффициент передачи тока h21Е - Uкэ=5B, Iк=10 мA 40 240
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер Uкэ(нас) В Iк=10 мA, Iб=1 мA - 0,6
Напряжение насыщения база-эмиттер Uбэ(нас)* В Iк=10 мA, Iб=1 мA - 1,2
Граничная частота коэф. передачи тока fгр. * МГц Uкб= 5B, Iэ=-3 мA 5 -
Емкость коллекторного перехода Ск * пФ Uкб= 5B, f=1МГц - 50

* Справочные параметры

Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ503
Параметры Обозначение Ед. измер. Значение
Напряжение коллектор-база Uкб max В 40-100
Напряжение коллектор-эмиттер Uкэ max В 25-80
Напряжение эмиттер-база Uэб max В 5
Постоянный ток коллектора Iк max мА 150
Импульсный ток коллектора

(tи 10)

Iки max мА 100
Рассеиваемая мощность коллектора Pк max мВт 300
Температура перехода Tj C 350
Классификация КТ503
  КТ503А КТ503Б КТ503В КТ503Г КТ503Д КТ503Е
Uкб max, В 40 40 60 60 80 100
Uкэ max, В 25 25 40 40 60 80
Uкэо гр. 25 25 40 40 60 80
h21e 40-120 80-240 40-120 80-240 40-120 40-120
Добавить комментарий