Кремниевая эпитаксиально-планарная диодная матрица 2ДC627А

Голосов пока нет

Кремниевая эпитаксиально-планарная импульсная диодная матрица полупроводниковая (ДМП) 2ДС627А в металлокерамическом корпусе, предназначенная для работы в аппаратуре специального назначения. Диапазон рабочих температур: от - 60 до + 125 C. Обозначение технических условий: дР3.454.000 ТУ. Корпусное исполнение: металлокерамический корпус 401.16-3.

Технические характеристики
Наименование Буквенное обозначение Норма
не менее не более
Постоянный обратный ток при Uобр= 50 В, мкА Iобр   2,0
Постоянное прямое напряжение при Iпр = 200 мА, В Uпр 0,85 1,15
Время обратного восстановления диода ДМП при Iпр = 200 мА, Uобр,и = 20 В, Iобр.отсч = 10 мА,
R = 1 кОм, нс
tвос,обр   40
Общая емкость диода ДМП при Uобр = 0, пФ СД   5,0
Постоянный обратный ток при Uобр= 50 В, мкА Iобр   2,0