Нет фото

Кремниевая эпитаксиально-планарная диодная матрица 2Д917А

Голосов пока нет
Производитель: 
Категория: 

Кремниевая эпитаксиально-планарная импульсная диодная матрица полупроводниковая (ДМП) "2Д917А" предназначенная для работы в аппаратуре специального назначения. Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125 C.Обозначение технических условий - дР3.362.027 ТУ. Корпусное исполнение металлостеклянный корпус 4112.12-1.

Технические характеристики
Наименование Буквенное обозначение Норма
не менее не более
Постоянный обратный ток при Uобр= 50 В, мкА Iобр   5,0
Постоянное прямое напряжение при Iпр = 200 мА, В Uпр 0,87 1,17
Время обратного восстановления диода при Iпр = 200 мА, Uобр,и = 10 В, Iобр.отсч = 3 мА, R = 1 кОм, нс tвос,обр   50
Общая емкость диода ДМП при Uобр = 0, пФ СД   6,0
Общая емкость всех диодов ДМП при Uобр = 0, пФ С   40
Добавить комментарий