Транзистор КТ8301А-5

Голосов пока нет
Под заказ

Связаться с менеджером

Транзисторы КТ8301А-5 кремниевые, бескорпусные, эпитаксиально-планарные, n-p-n, мощные, с демпферным диодом, с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) без выводов, предназначенные для применения в импульсных и ключевых схемах регуляторов напряжения и других приборах широкого применения, в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках, обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, пониженного и повышенного давления, солнечной радиации.

Особенности

  • Диапазон рабочих температур от - 45 до +125 C

Номер технических условий

  • АДКБ.432140.339 ТУ

Корпусное исполнение

  • бескорпусной вариант без кристаллодержателя, без выводов
Назначение контактных площадок
Площадка Назначение
№1 Эмиттер
№2 База
Физические характеристики
Наименование Значение характеристики
Диаметр пластины, мм 100
Размер кристалла (на пластине), мм 3,0 3,0
Размер контактной площадки эмиттер, мм 1,9 х 0,65
Размер контактной площадки база, мм 1,0 х 0,61
Ширина скрайберной дорожки, мкм 80 мкм
Металлизация планарной стороны Al
Металлизация непланарной стороны Ti-Ni-Ag
Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации
Наименование параметра (режим измерения), единица измерения Обозначение Норма
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RЭБ = 100 Ом), В UКЭ max 160
Максимально допустимое постоянное напряжение база-эмиттер, В UЭБ mах 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А IК mах 10
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А IК, и mах 12
Максимально допустимый постоянный ток базы, А IБ mах 1,0
Максимально допустимый прямой ток диода, А IПР, mах 10
Максимально допустимый импульсный прямой ток диода, А IПР, и mах 12
Максимально допустимая температура перехода, С Тпер mах 175
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора *, **

(при температуре корпуса от минус 45 до 25 С), Вт

РК max 30
* В составе гибридной сборки, обеспечивающей   тепловое сопротивление    RQ-пер-кор 

** При температуре корпуса Ткор от 25 С до 125 С    РК max рассчитывают по формуле

РК max = (175 - Ткор)/ RU пер-кор.

Основные электрические параметры
Наименование параметра, единица измерения, (режим измерения) Буквенное обозначение Норма Температура среды, (корпуса), С
не менее не более
Обратный ток коллектора IКЭR - 0,1 25
(UКЭ = 160 В, RБЭ = 100 Ом), мА - 5,0 125*
- 1,0 -45*
Обратный ток эмиттера

(UЭБ = 5 В, IК = 0), мА

IЭБО - 0,1 25
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером**

(UКЭ = 2 В, IК = 5 А, tи 50)

h21Э 100 - 25
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

(IК = 0,27 А, IБ = 0,002 А, tи 50), В

UКЭ нас - 0,4 25
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

(IК = 5 А, IБ = 0,1 А, tи 50), В

UКЭ нас - 0,5 25
Напряжение насыщения база-эмиттер

(IК = 1,5 А, IБ = 0,15 А, tи 50), В

UБЭ нас - 0,9 25
Граничное напряжение

(IК = 0,1 А, tи 50), В

UКЭО гр 70 - 25
Постоянное прямое напряжение диода

(IЭ = 5 А, tи 50), В

Uпр - 1,8 25
* Параметры, проверяемые в составе ГС

** UКБ = 1 В; IЭ = 5А.