Пн - Пт с 09:00 до 18:00 по МСК, без перерывов
Транзистор КТ6117А
Под заказ
Связаться с менеджером
Транзистор КТ6117А n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный предназначен для использования в высокочастотных устройствах аппаратуры широкого применения с малым уровнем шумов и повышенным напряжением питания.
Номер технических условий
- АДБК.432140.425 ТУ
Особенности
- Диапазон рабочих температур: - 45 до + 100 C
- Комплиментарная пара КТ6116
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92)
| Вывод | Назначение |
| №1 | Коллектор |
| №2 | База |
| №3 | Эмиттер |
| Параметры | Обозначение | Ед. измер | Режимы измерения | Min | Max |
|
Обратный ток коллектора
КТ6117А КТ6117Б |
Iкбо | мкА | Uкб=120В, Iэ=0 Uкб=100В, Iэ=0 |
-
- |
0,05
0,1 |
|
Обратный ток эмиттера КТ6117А
КТ6117Б |
Iэбо | мкА | Uэб=3В, Ik=0 Uэб=3В, Ik=0 |
-
- |
0,05
0,05 |
|
Статический коэффициент передачи тока КТ6117А
КТ6117Б |
h21э | - | Uкэ=5B, Iк=10мA Uкэ=5B, Iэ=10мA |
80
60 |
250
250 |
| Емкость коллекторного перехода | Ск | Пф | Uкб=10В, Iэ=0, f=10МГц | - | 6,0 |
|
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ6117А
КТ6117Б |
Uкэ(нас) | В | Iк=50мA, Iб=5мA Iк=50мA, Iб=5мA |
-
- |
0,2
0,25 |
|
Напряжение насыщения база-эмиттер КТ6117А
КТ6117Б |
Uбэ(нас) | В | Iк=50мA, Iб=5мA Iк=50мA, Iб=5мA |
-
- |
1,0
1,2 |
| Граничная частота коэф. передачи тока | fгр. | МГц | Uкэ=10B, Iэ=10мA f= 100МГц | 100 | - |
| Параметры | Обозначение | Единица измер. | Значение |
|
Напряжение коллектор-база
КТ6117А КТ6117Б |
Uкб max | В |
180
160 |
|
Напряжение коллектор-эмиттер
КТ6117А КТ6117Б |
Uкэ max | В |
160
140 |
| Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 6 |
| Постоянный ток коллектора | Iк max | mА | 600 |
| Рассеиваемая мощность коллектора | Pк max | Вт | 625 |
| Температура перехода | Тj | C | 150 |
| Тепловое сопротивление переход-среда | Rt пер-ср | C/Вт | 200 |
