Транзистор КТ502Г

Голосов пока нет
Производитель: 
Категория: 

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ502Г предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.

Обозначение технических условий

  • аАО. 336.182 ТУ/02

Особенности

  • - 45 до + 100 C
  • Комплиментарная пара КТ503

Корпусное исполнение

  • пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92)
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Эмиттер
№2 База
№3 Коллектор
Основные электрические параметры КТ502 при Токр. среды = 25 С
Параметры Обозначение Ед. изм. Режимы измерения Min Max
Гр. напряжение коллектор-эмиттер Uкэо гр. B Iк=-10mA, Iб=0 -25-80 -
Обратный ток коллектора Iкбо мкА Uкб= Uкб max - -1
Статический коэффициент передачи тока h21Е - Uкэ=-5B, Iк=-10 мA 40 240
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер Uкэ(нас) В Iк=-10 мA, Iб=-1 мA - -0,6
Напряжение насыщения база-эмиттер Uбэ(нас)* В Iк=-10 мA, Iб=-1 мA - -1,2
Граничная частота коэф. передачи тока fгр. * МГц Uкб= -5B, Iэ=--3 мA 5 -
Емкость коллекторного перехода Ск * пФ Uкб= -5B, f=1МГц - 50

* Справочные параметры

Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ502
Параметры Обозначение Ед. измер. Значение
Напряжение коллектор-база Uкб max В -40-90
Напряжение коллектор-эмиттер Uкэ max В -25-80
Напряжение эмиттер-база Uэб max В -5
Постоянный ток коллектора Iк max мА -150
Импульсный ток коллектора

(tи 10)

Iки max мА -300
Рассеиваемая мощность коллектора Pк max мВт 350
Температура перехода Tj C 150
Классификация КТ502
  КТ502А КТ502Б КТ502В КТ502Г КТ502Д КТ502Е
Uкб max, В -40 -40 -60 -60 -80 -90
Uкэ max, В -25 -25 -40 -40 -60 -80
Uкэо гр. -25 -25 -40 -40 -60 -80
h21e 40-120 80-240 40-120 80-240 40-120 40-120
Добавить комментарий