Нет фото

Полупроводниковые диодные матрицы с общим анодом 2Д918Г-1

Голосов пока нет
Производитель: 
Категория: 

Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диодные матрицы полупроводниковые (ДМП) 2Д918Г-1 предназначены для применения в неремонтируемых гибридных схемах, блоках и аппаратуре, обеспечивающей герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, пониженного и повышенного давления. Обозначение технических условий - ДР3.362.036 ТУ.

Технические характеристики
Наименование Буквенное обозначение Норма
не более
Постоянный обратный ток при Uобр= 40 В, мкА Iобр 5,0
Постоянное прямое напряжение при Iпр = 50 мА, В Uпр 1,0
Общая емкость диода ДМП при Uобр = 0, пФ СД 6,0
Заряд восстановления диода, пКл, при Iпр = 50 мА, Uобр,и = 10 В Qвос 850
Добавить комментарий

Похожее оборудование