Переключательный мощный высоковольтный n-p-n транзистор 2Т845А/ИМ

Голосов пока нет
Производитель: 
Категория: 

Кремниевый планарный переключательный мощный n-р-n транзистор "2Т845А/ИМ" в металлостеклянном корпусе предназначен для использования в схемах вторичных источников электропитания, высоковольтных ключевых схемах, а также других узлах и блоках аппаратуры специального назначения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от - 60 до 125 С.

Особенности

  • Категория качества ВП.
  • Напряжение коллектор-эмиттер 400 В.
  • Ток коллектора 5 А.
  • Мощность коллектора 50 Вт.
  • Коэффициент передачи тока 15 …100

 Обозначение технических условий - АЕЯР.432140.255 ТУ. Корпусное исполнение - металлостеклянный корпус КТ-9 (ТО-3).

Требования надежности

Минимальная наработка транзистора Тн.м. в режимах и условиях, допускаемых ТУ, должна быть не менее 25 000 ч, а в облегченных режимах (РК max = 0,7 РК max; Ткор = 100 С, Тпер = 125 С) – 50 000 ч. Гамма - процентный срок сохраняемости Тс транзистора при = 99,5 % при хранении в упаковке изготовителя в условиях отапливаемых хранилищ, хранилищ с кондиционированием воздуха по ГОСТ В 9.003, а также вмонтированных в защищенную аппаратуру или находящихся в защищенном комплекте ЗИП во всех местах хранения, должен быть не менее 25 лет. Значения Тс в условиях, отличных от указанных в зависимости от мест хранения, приведены в таблице 2 ГОСТ В 28146.

Конструктивные требования

  • Масса транзистора не более 20 г.
  • Показатель герметичности транзистора не более 5 ·10-4 л·мкм рт.ст/с.
  • Значение растягивающей силы, направленной вдоль оси вывода, не более 20 (2,00) Н (кгс).
  • Минимальное расстояние от корпуса до места пайки выводов 5 мм.

Условия эксплуатации

Расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) не менее 5 мм. При распайке температура корпуса не должна превышать 125 С. За температуру корпуса принимается температура любой точки основания транзистора диаметром не более 19 мм со стороны опорной плоскости. Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и надежности транзистора, что должно подтверждаться проведением ресурсных испытаний на предприятии-потребителе. Не допускается прикладывать к выводам вращающих и изгибающих усилий. Транзистор необходимо применять с теплоотводом. Крепление транзистора к теплоотводу должно обеспечивать надежный тепловой контакт. Не рекомендуется эксплуатация транзистора при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всем диапазоне температур. При конструировании схем следует учитывать возможность самовозбуждения за счет паразитных связей.

Технические характеристики
Наименование Буквенное обозначение Норма параметра  
 
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В (RБЭ = 10 Ом) UКЭR mах 400  
Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер, В (RБЭ = 10 Ом) UКЭR, и mах 400  
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В UЭБ mах 4  
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А IК mах 5  
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А IK,и max 7,5  
Максимально допустимый постоянный ток базы, А IБ max 1,5  
Максимально допустимый импульсный ток базы, А IБ,и max 4  
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора1), Вт (при температуре корпуса не более 50 С) РК mах 50  
Максимально допустимая температура перехода, °С Тпер mах 150  
Тепловое сопротивление переход-корпус, °С/Вт R пер-кор 2  
1) При температуре корпуса более 50 °С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определяется по формуле: РКMАХ= (ТПЕР MAX ТКОР)/R ПЕР-КОР.  
Добавить комментарий