Мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор КП771Б

Голосов пока нет
Производитель: 
Категория: 

Мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор КП771Б предназначен для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. Зарубежный прототип – STP40N10. Диапазон рабочих температур корпуса от - 55 до + 150°C. Обозначение технических условий АДБК 432140.767 ТУ. Корпусное исполнение-пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220).

Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Затвор
№2 Сток
№3 Исток
Основные электрические параметры КП771
Параметры Обозначение Ед.изм. Режимы измерения Min Max
Пороговое напряжение Uзи поp В Iс=250мкА,Uзи=Uси 2.0 4.0
Ток стока А tи 300мкс. Q 50  

40

 
КП771А  
КП771Б Uси=2.2B,Uзи=10В 35
КП771В 30
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии КП771А

КП771Б КП771В

Rси отк Ом tи 300мкс. Q 50 Iс=20А,Uзи=10В    

 

0.04

0.055

0,077

Остаточный ток стока Iс ост мкА Uси=Uси max,Uзи=0   250
Ток утечки затвора Iз ут нА Uси=0,Uзи=±20В -100 +100
Крутизна ВАХ S А/B tи 300мкс. Q 50 Uси=25В,Iс=20А  

14

 
Прямое напряжение диода Uпр В tи 300мкс. Q 50 Ic=40A,Uзи=0   1.6
Время включения/выключения * tвкл/ tвыкл нс tи 1мкс. Q 1000, Uси=80В,Iс=20А, Rг=4.7 Ом ,Uзи=10В    

220/

170

Тепловое сопротивление переход-корпус * Rt п-к °С/Вт     1.0
Входная емкость КП771А,Б КП771В * C11и пФ Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц    

2800

3000

Выходная емкость КП771А,Б

КП771В

* C22и пФ Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц    

800

1000

Проходная емкость КП771А,Б

КП771В

* C12и пФ Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц    

200

300

Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КП771
Параметры Обозначение Ед. изм. Предельные значения
А Б В
Напряжение сток-исток Uси max В 100 100 100
Напряжениезатвор-исток Uзи max В ±20 ±20 ±20
Постоянный ток стока Iс max А 40 35 30
Импульсный ток стока Iс и max А 160 160 120
Рассеиваемая мощность Pmax Вт 150 150 150
Прямой ток диода Iпр. max А 40 35 40
Температура перехода Тпеp °С 175 175 175
Добавить комментарий