Микросхемы К1274СП33П

Голосов пока нет
Производитель: 
Категория: 

Микросхемы «К1274СП33П» являются аналоговыми вольт-детекторами и могут применяться как супервизоры питания для сброса микропроцессоров (микроконтроллеров) при снижении напряжения питания ниже допустимого и, наоборот, для удержания их в исходном состоянии при включении до момента достижения напряжением питания необходимой величины. Вольт-детектор широко применяется для контроля аккумуляторных батарей в средствах мобильной связи и компьютерных системах, а также контроля функции перезагрузки систем, контроля ошибок включения-выключения мощных источников питания и т.д.

Преимущества

  • Поддержание порогового напряжения сброса микропроцессорных систем с высокой точностью (до 1%),
  • Минимизация схемы сброса (трехвыводная микросхема вместо RC-цепочки, диода и транзистора),
  • Более длительный срок использования аккумуляторных батарей в средствах мобильной связи и компьютерных системах из-за четкого отслеживания их состояния,
  • Сохранность систем из-за отсутствия ложного запуска при сбоях питания или выхода из строя мощных блоков питания.

Зарубежный прототип - KIA7033 фирмы «KEC». Обозначение технических условий - АДБК 431350.005 ТУ. Корпусное исполнение - пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92).

Близкие по назначению ИМС

  • серия PST529x
  • серия КР1171СПхх,
  • серия К1230ДПxx,
  • MC33064, MC34064.

Требования к устойчивости при механических воздействиях

Механические воздействия по ГОСТ 18725, в том числе: линейное ускорение 5000 м/с2 (500 g).

Требования к устойчивости при климатических воздействиях

Климатические воздействия по ГОСТ 18725, в том числе:

  • пониженная рабочая температура окружающей среды минус 25 C;
  • повышенная рабочая температура окружающей среды 70 C;
  • повышенная предельная температура окружающей среды 85 C;
  • изменения температуры окружающей среды от минус 60 до плюс 85 C;
  • повышенная рабочая температура кристалла 125 C.

Требования к надежности

  • Наработка микросхем 50000 ч, а в облегченном режиме - 60000 ч.
  • Облегченные режимы: нормальные климатические условия.
  • Интенсивность отказов в течение наработки не более 1•10-6 1/ч.
  • Гамма-процентный срок сохраняемости 10 лет.

Указания по эксплуатации

Указания по эксплуатации микросхем - по ГОСТ 18725. Допустимое значение статического потенциала 500 В. Микросхемы пригодны для монтажа в аппаратуре методом групповой пайки при температуре не выше 265 C, продолжительностью не более 4 с.

Технические характеристики
Наименование Буквенное обозначение Предельно допустимый режим
не менее не более
Входное напряжение, В UI 1 15
Выходной ток низкого уровня, мА (при UОL 0,4 В) IOL - 16
Максимальная рассеиваемая мощность при Токр 25 °C, Вт * Рtot mах - 0,5
Тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда, °C/Вт R кр-окр - 200
Максимальная температура кристалла, °C Ткр mах - 125
* В диапазоне рабочей температуры окружающей среды (Токр) от 25 °C до повышенной рабочей температуры окружающей среды максимально допустимая рассеиваемая мощность (Рtot mах) снижается линейно и рассчитывается по формуле: Рtot mах = (125 – Токр) °C / 200 °C/Вт, Вт
Добавить комментарий