Микросхема К1482ФП2Н4

Голосов пока нет
Производитель: 
Категория: 

Микросхема защиты светоизлучающих диодов (СИД) "К1482ФП2Н4" (IL7169M) с низким падением напряжения, рассчитанная на 500 мА тока шунтирования, предназначена для параллельного соединения с мощным СИД. ИС шунтирует управляющий ток в случае разомкнутой цепи СИД, а также шунтирует управляющий ток при обратном включении СИД.Низкий рабочий ток в режиме контроля и высокий ток шунтирования в задающем режиме.

Зарубежный прототип - AMC7169. Обозначение технических условий АДКБ.431140.119 ТУ. Корпусное исполнение – кристаллы на общей пластине.

Особенности

  • Задающее напряжение защиты – 5В,
  • Ток шунтирования – 500 мА,
  • Падение напряжения на шунте – 1В,
  • Защита от статического электричества – 8 кВ.

Требования к электрическим параметрам и режимам

Параметры микросхем в составе ГС в течение наработки в пределах времени, равного сроку сохраняемости, должны соответствовать нормам для крайних температур.

Механические воздействия в составе ГС (микросборок) по ОСТ 11 073.920, в том числе линейное ускорение 5000 м/с2 (500 g). Климатические воздействия в составе ГС (микросборок) по ОСТ 11 073.920, в том числе:

  • пониженная рабочая температура среды минус 45 С;
  • повышенная рабочая температура среды 85 С;
  • изменения температуры среды от минус 45 до 85 С.

Микросхемы должны допускать эксплуатацию после их транспортирования в нерабочем состоянии при пониженной предельной температуре среды минус 60 С.

Требования к надежности

  • Наработка микросхем в составе ГС (микросборок) 25000 ч.
  • Срок сохраняемости микросхем до момента их герметизации в составе ГС по ОСТ 11 073.920.
Технические характеристики
Наименование Буквенное обозначение Норма
Предельно-допустимый режим Предельный режим
не менее не более не менее не более
Температура кристалла, °С Ткр - 125 - 150
Постоянный ток в открытом состоянии, мА Iос - 350 - 500
Постоянный ток при обратном включении, мА Iобр - 350 - 500
Добавить комментарий