Пн - Пт с 09:00 до 18:00 по МСК, без перерывов
Микросхема «К1323ХВ1Р»
Под заказ
Связаться с менеджером
Микросхема «К1323ХВ1Р» предназначена для использования в системах бесконтактного электронного зажигания, применяющих в качестве датчика чувствительный элемент, работающий на эффекте Холла. Совместно с внешним высоковольтным NPN транзистором КТ8225А микросхема осуществляет управление процессом протекания тока через катушку зажигания, причем в процессе управления устанавливаются режимы, способствующие экономичной и надежной работе блока зажигания.
Зарубежный прототип - L497N. Обозначение технических условий АДКБ.431420.132 ТУ. Корпусное исполнение – пластмассовый корпус 238.16-2 (DIP-16). Собственная резонансная частота микросхем в диапазоне частот от 100 до 20000 Гц отсутствует.
Особенности
- температурный диапазон от - 45 C дo + 125 C,
- непосредственное управление внешним мощным транзистором Дарлингтона,
- управление временем накопления энергии в катушке зажигания,
- ограничение пикового тока в катушке зажигания,
- восстановление времени накопления энергии, если не достигнуто 94% значение номинального тока,
- выход управления тахометром,
- защита от постоянной проводимости,
- защита внешнего транзистора Дарлингтона от перенапряжения,
- защита при неправильном включении аккумулятора,
- климатическое исполнение УХЛ 5.1 по ГОСТ 15150.
Указания по применению и эксплуатации
- Допустимое значение статического потенциала 500 В.
- Микросхемы пригодны для монтажа в аппаратуре методом групповой пайки при температуре не выше 265 °C, продолжительностью не более 4 с.
- Число допускаемых перепаек выводов микросхем при проведении монтажных (сборочных) операций не более трех.
- Режим и условия монтажа в аппаратуре микросхем по ОСТ 11 073.063.
Требования к надежности
- Наработка микросхем 50000 ч, а в облегченном режиме 60000 ч.
- Облегченные режимы: нормальные климатические условия, UСС = 14 В ± 5 %.
- Гамма-процентный срок сохраняемости 10 лет.
| Наименование | Буквенное обозначение | Норма | Примечание | |||
| Предельно-допустимый режим | Предельный режим | |||||
| не менее | не более | не менее | не более | |||
| Напряжение питания, В | UСС |
4
- |
16
- |
4
- |
18
24 |
1
2 |
| Ток потребления по выводу 03, мА | IСС03 | 5 | 25 | - | 200 | - |
| Напряжение питания выходного каскада, В (вывод 16) | UСС16 | - | 28 | - | 25 | - |
| Мощность рассеяния, Вт: - в корпусе 238.16-2 | Ptot | - | 1,2 | - | 1,2 | 3 |
| Тепловое сопротивление кристалл- корпус (алюминиевый теплоотвод) для микросхем в корпусе SO-16, °С/Вт | Rt кр-кор | - | 50 | - | 50 | - |
| Тепловое сопротивление кристалл- окружающая среда для микросхем в корпусе 238.16-2, °С/Вт | Rt кр-окр | - | 90 | - | 90 | - |
|
Время воздействия не более 2 ч.
Время воздействия не более 5 мин. Для микросхем в корпусе SO-16 температура алюминиевого теплоотвода размерами (15х20х0,65) мм при посадке микросхемы по центру плоской поверхности не выше 65 °С, для микросхем в корпусе 238.16-2 температура окружающей среды не выше 65 С. * UСС не более 18 В. |
||||||
