Микросхема интегральная полупроводниковая 512ПС8

Голосов пока нет

Микросхема интегральная полупроводниковая "512ПС8" представляет собой временное устройство с коррекцией, предназначенное для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.

Обозначение технических условий бКО.347.305 ТУ3. Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125С. Корпусное исполнение: корпус 402.16-23.

Электрические параметры
Наименование Буквенное обозначение Единицы измерения Режимы измерения Min Max
Выходное напряжение низкого уровня UOL В Ucc=5В±20% IО= 400мкА - 0,4
Выходное напряжение высокого уровня UOH В Ucc=5В±20% IО= 100мкА 0,9UСС -
Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения ICCH мкА Ucc=5В±20% - 20
Ток потребления при низком уровне выходного напряжения ICCL мкА Ucc=5В±20% - 20
Динамический ток потребления ICCО мкА Ucc=5В±20% f=40кГц - 100
Напряжение питания Ucc= 5В±20%