Нет фото

Кремниевый биполярный транзистор 2Т637А-2

Голосов пока нет
Производитель: 
Категория: 

Кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор "2Т637А-2" предназначен для применения в режимах усиления мощности, генерации, ограничения мощности и преобразования частоты в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры специального назначения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С. Обозначение технических условий - аАО.339.063 ТУ. Корпусное исполнение - бескорпусное исполнение.

Электрические параметры
Наименование Буквенное обозначение Норма  
не менее не более  
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером, МГц, при UКЭ = 10 В, IК = 100 мА, f = 300 МГц fгр 1300 -  
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс, при UКБ = 10 В, IЭ = 30 мА, f = 100 МГц к - 1,4  
Обратный ток коллектора, мкА, при UКБ = 30 В IКБ0 - 100  
Обратный ток эмиттера, мкА, при UЭБ = 2,5 В IЭБ0 - 100  
Выходная мощность (медианное значение), мВт, при UКБ = 20 В, IК = 100мА, f = 3 ГГц, Pвх = 200 мВт Pвых 500 -  
Добавить комментарий