Нет фото

Кремниевые транзисторы 2П771А-6

Голосов пока нет
Производитель: 
Категория: 

Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы 2П771А-6 с изолированным затвором, обогащением n-канала, и встроенным обратносмещенным диодом предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Зарубежные прототипы - STP40N10.

Особенности

  • Диапазон рабочих температур от минус 60 до 125 С,
  • Металлизация планарной стороны: AL,
  • Металлизация непланарной стороны: Ti-Ni-Ag,
  • Пассивация: НТФСС,
  • Масса не более 0,027 г.
  • Категория качества ВП.

Корпусное исполнение - бескорпусной вариант на кристаллодержателе и без выводов. Стойкость к воздействию спецфакторов - И1, И2, И3, К1 – 1У; С3 - 0.7х1У; К3 - 0.5х1У в соответствии с ГОСТ В 20.39.404 – 81. Обозначение технических условий: АЕЯР.432140.243ТУ.

Технические характеристики
Наименование Буквенное обозначение Норма Температура среды, корпуса, С
не менее не более
Остаточный ток стока (UЗИ = 0 В, UСИ = 104 В), мкА IС. ост - 100 25
Ток утечки затвора (UЗИ = ± 35 В, UСИ = 0 В), нА IЗ. ут - ±100 25
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (UЗИ = 10 В, IС = 1 А, tи 300 мкс, Q 50), Ом RСИ. отк - 0,08 25
Пороговое напряжение (UЗИ = UCИ В, IС = 250 мкА), В UЗИ. пор 2,00 4,0 25
Постоянное прямое напряжение диода (UЗИ = 0 В, IС = - 1 А, tи 300 мкс, Q 50), В Uпр - 1,0 25
Добавить комментарий