Кремниевые транзисторы 2П7145А1/ИМ

Голосов пока нет
Производитель: 
Категория: 

Кремниевые эпитаксиально - планарные полевые n-канальные со встроенным диодом транзисторы 2П7145А1/ИМ в металлокерамическом корпусе КТ-97С  предназначены для работы в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, пускорегуляторах и другой аппаратуре специального назначения

Зарубежные прототипы - IRFP250 фирмы International Rectifier.

Особенности

  • UСИ = 200 В,
  • RСИ = 0,085 Ом,
  • IС = 30 А,
  • встроенный диод,
  • диапазон рабочих температур от – 60 до + 125 С,
  • категория качества ВП.

Корпусное исполнение - металлокерамический корпус КТ-97С (ТО-258). Обозначение технических условий: АЕЯР.432140.295ТУ.

Требования надежности

Минимальная наработка транзисторов (Тн.м) в режимах и условиях, допускаемых ТУ -25000ч. Минимальная наработка транзисторов (Тн.м) в облегченных режимах РК = 0,7 РКмах, Ткорп = (100±5) С– 50000 ч. Групповой показатель безотказности - интенсивность отказов при испытании в течение наработки в режимах и условиях, допускаемых ТУ, ( и) при доверительной вероятности Р* = 0,6 не более 10-6 1/ч. Минимальный срок сохраняемости 25 лет по ГОСТ В 28146.

Условия эксплуатации

Транзисторы 2П7145А1/ИМ пригодны для монтажа в аппаратуре методом пайки паяльником. Температура пайки не выше 265 С. Время пайки не более 4 с. Время лужения – 2 с. Допустимое число перепаек выводов транзисторов при проведении монтажных (сборочных) операций не более трех. Расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) не менее 5 мм. При распайке температура корпуса не должна превышать 125 С. Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и надежности транзисторов, что должно подтверждаться проведением ресурсных испытаний на предприятии-потребителе. Не допускается прикладывать к выводам вращающих усилий. Транзисторы необходимо применять с теплоотводами. Крепление транзисторов к теплоотводу должно обеспечивать надежный тепловой контакт.

Технические характеристики
Параметры Буквенное обозначение Норма
Максимально допустимое напряжение сток-исток, В UСИ mах 200
Максимально допустимое напряжение затвор-сток, В UЗС mах 100
Максимально допустимое напряжение затвор-исток, В UЗИ mах ±20
Максимально допустимый постоянный ток стока (Ткорп = 25 °С, Uзи = 10 В, Uси = 4 В), А * IС mах 30
Максимально допустимый импульсный ток стока (tи 80 мкс, Q 300), А * IC(и) mах 120
Максимально допустимая рассеиваемая мощность при Ткорп = от минус 60 до 25 °С, Вт* 1 Рmах 150
Тепловое сопротивление переход-корпус, С/Вт R пер-кор 0,83
Максимально допустимая температура перехода (кристалла), С Тпер mах 150
Добавить комментарий