Нет фото

Импульсные диодные матрицы КД917А

Голосов пока нет
Производитель: 
Категория: 

Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диодные матрицы полупроводниковые (ДМП) КД917А в металлостеклянном корпусе, изготавливаемые для нужд народного хозяйства.

Основные электрические параметры
Параметры Обознач. Ед. измер. Режимы измерения Максим.
Постоянный обратный ток при постоянном обратном напряжении Iобр мкА Uобр=40B 5
Постоянное прямое напряжение при постоянном прямом токе Uпр В Iпр=200мА 1,2
Время восстановления обратного сопротивления диода в режиме переключения с постоянного прямого тока на импульсное обратное напряжение при отсчётном уровне обратного тока tвос нс Iпр=200мА Uобр,u=10B Iобр,отсч=3мА Rнагр=1 кОм 50
Общая ёмкость диода ДМП Сtot пФ Uпр=0 6
Предельно-допустимые режимы эксплуатации
Параметры Обозначение Единица измерения Значение Примечание
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение UR max В 40 1
Максимально допустимое импульсное обратное напряжение при длительности импульса не более 2 мкс и скважности не менее 10 URM max В 60 1,2
Максимально допустимый средний ток через IFAV max мА 200 3
любой одиночный диод или любое количество
диодов ДМП при температкре от
минус 60 до +35 С
при температуре +125 С 100 3
Максимально допустимый импульсный прямой IFM max мА 1500  

3

ток, при длительности импульса не более 10 мкс
и скважности не менее 20 без превышения IFAV
max через любой одиночный диод или любое
количество диодов в ДМП
при температуре от минус 60 до +35 С
при температуре +125 С 750 3
Добавить комментарий