Биполярный транзистор 2Е802А-5 с изолированным затвором

Голосов пока нет
Производитель: 
Категория: 

Бескорпусные кремниевые планарные биполярные транзисторы "2Е802А-5"с изолированным затвором, поставляемые на общей пластине (неразделенными), предназначены для внутреннего монтажа в гибридных интегральных микросхемах (ГС), микросборках и блоках, а также для сборки дискретных приборов, обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от воздействия света, влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, агрессивных газов и смесей. Транзисторы применяются для работы в ключевых устройствах аппаратуры специального назначения. Категория качества ВП.

Ближайший функциональный аналог - IRG4DC30. Диапазон рабочих температур окружающей среды от - 60 до + 125 С. Обозначение технических условий: АЕЯР.432140.321 ТУ. Конструктивное исполнение - кристаллы на общей пластине неразделенные.

Требования к устойчивости при специальных воздействиях

  • Специальные воздействия в составе ГС (микросборок) – по ОСТ В 11 336.018.
  • Специальные воздействия И1, И2, И3, С3, К1, К3 по группе исполнения 1У.

Справочные данные

  • 95-процентный ресурс транзисторов (Т ) в режимах и условиях, допустимых ТУ, – 50000 ч.
  • 95-процентный ресурс транзисторов (Т ) в облегченных режимах и условиях – 100000 ч.

Механические воздействия в составе ГС (микросборок) по ОСТ В 11 336.018 со следующим уточнением: уровень звукового давления акустического шума 160 дБ.

Климатические воздействия в составе ГС (микросборок) по ОСТ В 11 336.018 со следующими уточнениями:

  • повышенная рабочая температура среды (корпуса) 125 С;
  • смена температуры среды от минус 60 до 125 С.

Указания по применению и эксплуатации

После проведения операций: разделение на кристаллы, присоединение выводов и установка в корпус при соблюдении требований ОСТ В 11 336.018 и ТУ транзисторы должны соответствовать требованиям ОСТ В 11 336.018 и ТУ в течение времени минимальной наработки и сохраняемости. При технологических операциях недопустимо попадание на поверхность транзисторов пыли, масел, жиров, графита, спирта и других загрязнений, особенно, токопроводящих. На всех стадиях производства и сборки транзисторов запрещается брать бескорпусные транзисторы незащищенными руками.

Технические характеристики
Наименование Буквенное обозначение Норма Температура среды, корпуса, С
не менее не более
Обратный ток коллектор-эмиттер (UКЭ = 612 В, RЗЭ = 0, tи = (0,3-10) мс, Q 50), мА IКЭК - 0,2 25±10
Ток утечки затвора (UЗЭ = ± 22 В), нА IЗ.ут - 90 25±10
Пороговое напряжение (UКЭ = UЗЭ, IК= 1 мА), В UЗЭ.пор 3,2 5,8 25±10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IК = 5 А, UЗЭ = 15 В, tи = (0,3-3) мс, Q 50), В UКЭ нас - 2,4 25±10
Обратный ток коллектор-эмиттер* (UКЭ = 600 В, RЗЭ = 0) (UКЭ = 600 В, RЗЭ = 0) (UКЭ = 500 В, RЗЭ = 0) (tи = (0,3-10) мс, Q 50), мА IКЭК -

-

-

0,25

1,5

0,25

25±10

125±5

-60±3

Ток утечки затвора* (UЗЭ = ±20 В), нА IЗ.ут - 100 25±10
Пороговое напряжение* (UКЭ = UЗЭ, IК = 1 мА), В UЗЭ.пор 3 6 25±10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер* (IК = 12 А, UЗЭ = 15 В, tи = (0,3-3) мс, Q 50), В UКЭ нас  

-

-

2,7 3,5 3,5 25±10

125±5

-60±3

Добавить комментарий